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參數資料
| 型號： | FJA199-736G |
| 廠商： | ADVANCED INTERCONNECTIONS CORP |
| 元件分類： | 插座 |
| 英文描述： | BGA199, IC SOCKET |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 57K |
| 代理商： | FJA199-736G |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FJA200-736G | BGA200, IC SOCKET |
| FJA224-736G | BGA224, IC SOCKET |
| FJA332-736G | BGA332, IC SOCKET |
| FJA49-736G | BGA49, IC SOCKET |
| FJA64-736G | BGA64, IC SOCKET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FJA3835 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Power Amplifier |
| FJA3835TU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Silicon RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FJA4210 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:PNP Epitaxial Silicon Transistor |
| FJA4210OTU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FJA4210RTU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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