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參數資料
| 型號： | FJB102 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | High Voltage Power Darlington Transistor |
| 中文描述： | 8 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | D2PAK-3 |
| 文件頁數： | 1/5頁 |
| 文件大小： | 159K |
| 代理商： | FJB102 |
2005 Fairchild Semiconductor Corporation
FJB102 Rev. A
1
www.fairchildsemi.com
F
FJB102
High Voltage Power Darlington Transistor
Features
High DC Current Gain : h
FE
=1000 @ V
CE
=4V, I
C
=3A (Min.)
Low Collector-Emitter Saturation Voltage
High Collector-Emitter Sustaining Voltage
Monolithic Construction with Built-in Base-Emitter Shunt Resistors
Industrial Use
Absolute Maximum Ratings
* Pulse Test: PW = 300
μ
s, Duty Cycle = 2% Pulsed
Package Marking and Ordering Information
Symbol
Parameter
Value
Units
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
P
C
T
J
T
STG
Collector-Base Voltage
100
V
Collector-Emitter Voltage
100
V
Emitter-Base Voltage
5
V
Collector Current (DC)
8
A
* Collector Current (Pulse)
15
A
Base Current (DC)
1
A
Collector Dissipation (T
C
= 25
°
C)
Junction Temperature
80
W
150
°
C
Storage Temperature
-65 ~ 150
°
C
Device Marking
Device
Package
Reel Size
Tape Width
Quantity
FJB102
FJB102
D2-PAK
13” Dia
-
800
D2-PAK
1.Base 2.Collector 3.Emitter
1
R1
R2
10k
0.6k
Equivalent Circuit
B
E
C
R1
R2
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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