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參數(shù)資料
型號(hào): FJN3311R
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi): 小信號(hào)晶體管
英文描述: NPN Epitaxial Silicon Transistor
中文描述: 100 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝: TO-92, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù): 2/3頁(yè)
文件大小: 26K
代理商: FJN3311R
Package Dimensions
F
0.46
±
0.10
1.27TYP
[1.27
±
0.20
]
(R2.29)
3
1.27TYP
[1.27
±
0.20
]
3.60
±
0.20
1
±
0
1
±
0
(
4
±
0
4.58
+0.25
–0.15
0.38
+0.10
0
+
TO-92
Dimensions in Millimeters
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A, August 2002
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FJN3312R NPN Epitaxial Silicon Transistor
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FJN3314R NPN Epitaxial Silicon Transistor
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FJN4301R PNP Epitaxial Silicon Transistor
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參數(shù)描述
FJN3311RBU 功能描述:開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 NPN/40V/100mA/22K RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
FJN3311RBU_Q 功能描述:開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 NPN/40V/100mA/22K RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
FJN3311RTA 功能描述:開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
FJN3312R 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱(chēng):Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN Epitaxial Silicon Transistor
FJN3312RBU 功能描述:開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 NPN/40V/100mA/47K RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
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