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參數資料
型號: FJN4301R
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: PNP Epitaxial Silicon Transistor
中文描述: 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝: TO-92, 3 PIN
文件頁數: 2/4頁
文件大小: 68K
代理商: FJN4301R
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
F
Rev. A, July 2002
Typical Characteristics
Figure 1. DC current Gain
Figure 3. Input Off Voltage
Figure 2. Input On Voltage
Figure 4. Power Derating
-1
-10
-100
-1000
10
100
1000
V
CE
= - 5V
R
1
= 4.7 K
R
2
= 4.7 K
h
F
,
I
C
[mA], COLLECTOR CURRENT
-0.0
-0.4
-0.8
-1.2
-1.6
-2.0
-2.4
-10
-100
-1000
V
CE
= - 5V
R
1
= 4.7K
R
2
= 4.7K
I
C
μ
A
V
I
(off)[V], INPUT OFF VOLTAGE
-0.1
-1
-10
-100
-0.1
-1
-10
-100
V
CE
=- 0.3V
R
1
= 4.7 K
R
2
= 4.7 K
V
I
(
I
C
[mA], COLLECTOR CURRENT
0
25
50
75
100
125
150
175
0
50
100
150
200
250
300
350
P
C
[
T
a
[
0
C], AMBIENT TEMPERATURE
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PDF描述
FJN4302R PNP Epitaxial Silicon Transistor
FJN4303R PNP Epitaxial Silicon Transistor
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FJN4305R PNP Epitaxial Silicon Transistor
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相關代理商/技術參數
參數描述
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FJN4301RBU_Q 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 50V/100mA/4.7K 4.7K RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
FJN4301RTA 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
FJN4302R 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:PNP Epitaxial Silicon Transistor
FJN4302RBU 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 50V/100mA/10K 10K RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
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