- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄375800 > FJN4305R (FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP) PNP Epitaxial Silicon Transistor PDF資料下載
參數資料
| 型號： | FJN4305R |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | PNP Epitaxial Silicon Transistor |
| 中文描述： | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封裝： | TO-92, 3 PIN |
| 文件頁數： | 4/4頁 |
| 文件大小： | 69K |
| 代理商： | FJN4305R |
!"#$%"&'(%& %)'"%&'!%*$%('((!'&$$%
"'+'%,'*- %& ''.$'-'(
/
0!11 2
23451
23 4511 3 45
1 112
1 3
21 62
$$%+!%
!"'*%("&%%$%%(
7121
1121
21
11 23 2
$2
((
%
1
1112
2
123
1121
2 1
1
2 1
1 1
2
1 2
"
$
$
($
!"#!
$
%
&
'(
)
*
+
!0!$8!#!0!,8
0!,!0
+$!
,-./
,0
"
"
"!
"#!
1+#
!%
!
0
#23
#24
#25
(
(+
#
6%
6
7
'!
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FJN4306R | PNP Epitaxial Silicon Transistor |
| FJN4307R | Audio Transformer; Insertion Loss:46.8dB; Size:9.79 x 8.89 x 9.52 mm; Terminal Type:PCB Surface Mount |
| FJN4308R | PNP Epitaxial Silicon Transistor |
| FJN4309R | PNP Epitaxial Silicon Transistor |
| FJN4310R | PNP Epitaxial Silicon Transistor |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FJN4305RBU | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 50V/100mA/4.7K 10K RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| FJN4305RBU_Q | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 50V/100mA/4.7K 10K RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| FJN4305RTA | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| FJN4306R | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:PNP Epitaxial Silicon Transistor |
| FJN4306RBU | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 50V/100mA/10K 47K RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。