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參數資料
| 型號： | FJN965 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | NPN Epitaxial Silicon Transistor |
| 中文描述： | 5000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封裝： | TO-92, 3 PIN |
| 文件頁數： | 3/6頁 |
| 文件大小： | 83K |
| 代理商： | FJN965 |
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
F
Rev. A2, August 2002
Typical Characteristics
(Continued)
Figure 7. Power Derating
Figure 8. Forward Bias Safe Operating Area
0
25
50
75
100
125
150
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
P
C
T
a
[
o
C], AMBIENT TEMPERATURE
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
100
Snge Puse
Ta = 25
o
C
t = 1s
t = 10ms
I
C
I
CP
I
C
V
CE
[V, SATURATONVOLTAGE
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FJNS3201R | NPN Epitaxial Silicon Transistor |
| FJNS3202R | NPN Epitaxial Silicon Transistor |
| FJNS3203R | NPN Epitaxial Silicon Transistor |
| FJNS3204R | NPN Epitaxial Silicon Transistor |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| FJN965TA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FJN965TA_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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