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參數(shù)資料
| 型號： | FJNS3208R |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | NPN Epitaxial Silicon Transistor |
| 中文描述： | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | TO-92S, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 36K |
| 代理商： | FJNS3208R |
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A, August 2002
F
NPN Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
a
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
V
CBO
Collector-Base Voltage
V
CEO
Collector-Emitter Voltage
V
EBO
Emitter-Base Voltage
I
C
Collector Current
P
C
Collector Power Dissipation
T
J
Junction Temperature
T
STG
Storage Temperature
Electrical Characteristics
T
a
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
BV
CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
BV
CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage
I
CBO
Collector Cut-off Current
h
FE
DC Current Gain
V
CE
(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
f
T
Current Gain Bandwidth Product
C
ob
Output Capacitance
Value
50
50
10
100
300
150
-55 ~ 150
Units
V
V
V
mA
mW
°
C
°
C
Test Condition
I
C
=10
μ
A, I
E
=0
I
C
=
100μΑ
, I
B
=0
V
CB
=40V, I
E
=0
V
CE
=5V, I
C
=5mA
I
C
=10mA, I
B
=0.5mA
I
C
=10mA, I
B
=0.5mA
V
CB
=10V, I
E
=0
f=1.0MHz
V
CE
=5V, I
C
=100
μ
A
V
CE
=0.3V, I
C
=2mA
Min.
50
50
Typ.
Max.
Units
V
V
μ
A
0.1
56
0.3
V
250
3.7
MHz
pF
V
I
(off)
V
I
(on)
R
1
R
1
/R
2
Input Off Voltage
Input On Voltage
Input Resistor
Resistor Ratio
0.8
V
V
4
62
2.4
32
1.9
47
2.1
K
FJNS3208R
Switching Application
(Bias Resistor Built In)
Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit
Built in bias Resistor (R
1
=47K
, R
2
=22K
)
Complement to FJNS4208R
Equivalent Circuit
B
E
C
R1
R2
1.Emitter 2. Collector 3. Base
TO-92S
1
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FJNS3209R | NPN Epitaxial Silicon Transistor |
| FJNS3210R | NPN Epitaxial Silicon Transistor |
| FJNS3211R | NPN Epitaxial Silicon Transistor |
| FJNS3212R | NPN Epitaxial Silicon Transistor |
| FJNS3213R | NPN Epitaxial Silicon Transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FJNS3208RBU | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 50V/100mA/47K/22K RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| FJNS3208RBU_Q | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 50V/100mA/47K/22K RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| FJNS3208RTA | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| FJNS3209R | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN Epitaxial Silicon Transistor |
| FJNS3209RBU | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 NPN/40V/100mA/4.7K RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
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