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參數資料
| 型號： | FJNS3210R |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | NPN Epitaxial Silicon Transistor |
| 中文描述： | 100 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | TO-92S, 3 PIN |
| 文件頁數： | 3/4頁 |
| 文件大小： | 32K |
| 代理商： | FJNS3210R |
Package Dimensions
F
4.00
±
0.20
3.72
±
0.20
2.86
±
0.20
2.31
±
0.20
3
±
0
0
±
0
1
±
0
(
0.49
±
0.10
1.27TYP
[1.27
±
0.20]
[1.27
±
0.20]
1.27TYP
0.66 MAX.
0.35
+0.10
–0.05
TO-92S
Dimensions in Millimeters
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A, August 2002
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FJNS3211R | NPN Epitaxial Silicon Transistor |
| FJNS3212R | NPN Epitaxial Silicon Transistor |
| FJNS3213R | NPN Epitaxial Silicon Transistor |
| FJNS3214R | NPN Epitaxial Silicon Transistor |
| FJNS3215R | NPN Epitaxial Silicon Transistor |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FJNS3210RBU | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 NPN/40V/100mA/10K RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| FJNS3210RTA | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| FJNS3211R | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN Epitaxial Silicon Transistor |
| FJNS3211RBU | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 NPN/40V/100mA/22K RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| FJNS3211RBU_Q | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 NPN/40V/100mA/22K RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
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