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參數資料
型號: FJNS3213R
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: NPN Epitaxial Silicon Transistor
中文描述: 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: TO-92S, 3 PIN
文件頁數: 2/3頁
文件大小: 27K
代理商: FJNS3213R
Package Dimensions
F
4.00
±
0.20
3.72
±
0.20
2.86
±
0.20
2.31
±
0.20
3
±
0
0
±
0
1
±
0
(
0.49
±
0.10
1.27TYP
[1.27
±
0.20]
[1.27
±
0.20]
1.27TYP
0.66 MAX.
0.35
+0.10
–0.05
TO-92S
Dimensions in Millimeters
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A, August 2002
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PDF描述
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相關代理商/技術參數
參數描述
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FJNS3213RBU_Q 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 50V/100mA/2.2K 47K RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
FJNS3213RTA 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
FJNS3214R 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN Epitaxial Silicon Transistor
FJNS3214RBU 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 50V/100mA/4.7K 47K RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
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