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參數資料
型號: FJNS4209R
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: PNP Epitaxial Silicon Transistor
中文描述: 100 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: TO-92S, 3 PIN
文件頁數: 1/4頁
文件大小: 32K
代理商: FJNS4209R
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A, August 2002
F
PNP Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
a
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
V
CBO
Collector-Base Voltage
V
CEO
Collector-Emitter Voltage
V
EBO
Emitter-Base Voltage
I
C
Collector Current
P
C
Collector Power Dissipation
T
J
Junction Temperature
T
STG
Storage Temperature
Electrical Characteristics
T
a
=25
°
C
unless otherwise noted
Symbol
Parameter
BV
CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
BV
CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage
I
CBO
Collector Cut-off Current
h
FE
DC Current Gain
V
CE
(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
C
ob
Output Capacitance
Value
-40
-40
-5
-100
300
150
-55 ~ 150
Units
V
V
V
mA
mW
°
C
°
C
Test Condition
I
C
= -100
μ
A, I
E
=0
I
C
= -1mA, I
B
=0
V
CB
= -30V, I
E
=0
V
CE
= -5V, I
C
= -1mA
I
C
= -10mA, I
B
= -1mA
V
CB
= -10V, I
E
=0
f=1MHz
V
CE
= -10V, I
C
= -5mA
Min.
-40
-40
Typ.
Max.
Units
V
V
μ
A
-0.1
600
-0.3
100
V
pF
5.5
f
T
R
Current Gain Bandwidth Product
Input Resistor
200
4.7
MHz
K
3.2
6.2
FJNS4209R
Switching Application
(Bias Resistor Built In)
Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit
Built in bias Resistor (R=4.7K
)
Complement to FJNS3209R
Equivalent Circuit
B
E
C
R
1.Emitter 2. Collector 3. Base
TO-92S
1
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