- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄375802 > FJT1101 (Fairchild Semiconductor Corporation) Ultra Low Leakage Diodes PDF資料下載
參數資料
| 型號： | FJT1101 |
| 廠商： | Fairchild Semiconductor Corporation |
| 英文描述： | Ultra Low Leakage Diodes |
| 中文描述： | 超低漏電二極管 |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 29K |
| 代理商： | FJT1101 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FJT44 | NPN Epitaxial Silicon Transistor |
| FJU1615 | PNP Epitaxial Silicon Transistor |
| FJU5304D | High Voltage Fast Switching Transistor |
| FJU5304DTU | High Voltage Fast Switching Transistor |
| FJV1845 | NPN Epitaxial Silicon Transistor |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FJT44 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN Epitaxial Silicon Transistor |
| FJT44_06 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN Epitaxial Silicon Transistor |
| FJT44KTF | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN/500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FJT44TF | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FJT44TF_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。