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參數資料
| 型號： | FJV3102 |
| 廠商： | Fairchild Semiconductor Corporation |
| 英文描述： | NPN Epitaxial Silicon Transistor |
| 中文描述： | npn型外延硅晶體管 |
| 文件頁數： | 3/4頁 |
| 文件大小： | 56K |
| 代理商： | FJV3102 |
F
Package Dimensions
0.96~1.14
0.12
0.03~0.10
0.38 REF
0.40
±
0.03
2.90
±
0.10
0.95
±
0.03
0.95
±
0.03
1.90
±
0.03
0.508REF
0
1
±
0
0
2
±
0
+0.05
–0.023
0
0.40
±
0.03
SOT-23
Dimensions in Millimeters
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A, July 2002
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FJV3102R | NPN Epitaxial Silicon Transistor |
| FJV3103R | NPN Epitaxial Silicon Transistor |
| FJV3104R | NPN Epitaxial Silicon Transistor |
| FJV3105R | NPN Epitaxial Silicon Transistor |
| FJV3106R | NPN Epitaxial Silicon Transistor |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FJV3102R | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN Epitaxial Silicon Transistor |
| FJV3102RMTF | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 50V/100mA/10K 10K RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| FJV3103R | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN Epitaxial Silicon Transistor |
| FJV3103RMTF | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 50V/100mA/22K 22K RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| FJV3103RMTF_Q | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 50V/100mA/22K 22K RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
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