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參數資料
| 型號： | FJV3113R |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | NPN Epitaxial Silicon Transistor |
| 中文描述： | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | SOT-23, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 46K |
| 代理商： | FJV3113R |
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A, August 2002
F
NPN Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
a
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
Collector-Base Voltage
V
CEO
Collector-Emitter Voltage
V
EBO
Emitter-Base Voltage
I
C
Collector Current
P
C
Collector Power Dissipation
T
J
Junction Temperature
T
STG
Storage Temperature
Electrical Characteristics
T
a
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
BV
CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
BV
CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage
I
CBO
Collector Cut-off Current
h
FE
DC Current Gain
V
CE
(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
f
T
Current Gain Bandwidth Product
C
ob
Output Capacitance
Parameter
Value
50
50
10
100
200
150
-55 ~ 150
Units
V
V
V
mA
mW
°
C
°
C
Test Condition
I
C
=10
μ
A, I
E
=0
I
C
=100
μ
A, I
B
=0
V
CB
=40V, I
E
=0
V
CE
=5V, I
C
=5mA
I
C
=10mA, I
B
=0.5mA
V
CE
=10V, I
C
=5mA
V
CB
=10V, I
E
=0
f=1.0MHz
V
CE
=5V, I
C
=100
μ
A
V
CE
=0.2V, I
C
=5mA
Min.
50
50
Typ.
Max.
Units
V
V
μ
A
0.1
68
0.3
V
250
3.7
MHz
pF
V
I
(off)
V
I
(on)
R
1
R
1
/R
2
Input Off Voltage
Input On Voltage
Input Resistor
Resistor Ratio
0.5
V
V
1.1
2.9
0.052
1.5
0.042
2.2
0.047
K
FJV3113R
Switching Application
(Bias Resistor Built In)
Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit
Built in bias Resistor (R
1
=2.2K
, R
2
=47K
)
Complement to FJV4113R
R33
Marking
Equivalent Circuit
B
E
C
R1
R2
SOT-23
1. Base 2. Emitter 3. Collector
1
2
3
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FJV3114R | NPN Epitaxial Silicon Transistor |
| FJV3115R | NPN Epitaxial Silicon Transistor |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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| FJV3113RMTF_Q | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 50V/100mA/2.2K 47K RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| FJV3114R | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN Epitaxial Silicon Transistor |
| FJV3114RMTF | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 50V/100mA/4.7K 47K RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| FJV3115R | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN Epitaxial Silicon Transistor |
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