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參數(shù)資料
型號: FJV3115R
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: NPN Epitaxial Silicon Transistor
中文描述: 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: SOT-23, 3 PIN
文件頁數(shù): 2/4頁
文件大小: 55K
代理商: FJV3115R
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
F
Rev. A, August 2002
Typical Characteristics
Figure 1. DC current Gain
Figure 3. Input Off Voltage
Figure 2. Input On Voltage
Figure 4. Power Derating
1
10
100
1000
10
100
1000
V
CE
= 5V
R
1
= 2.2K
R
2
= 10K
h
F
,
I
C
[mA], COLLECTOR CURRENT
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0.01
0.1
1
V
CE
= 5V
R
1
= 2.2K
R
2
= 10K
I
C
μ
A
V
I
(off)[V], INPUT OFF VOLTAGE
0.1
1
10
100
0.1
1
10
V
CE
= 5V
R
1
= 2.2K
R
2
= 10K
V
I
(
I
C
[mA], COLLECTOR CURRENT
0
25
50
75
100
125
150
175
0
40
80
120
160
200
240
280
P
C
[
T
a
[
o
C], AMBIENT TEMPERATURE
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PDF描述
FJV4101R PNP Epitaxial Silicon Transistor
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參數(shù)描述
FJV3115RMTF 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 50V/100mA/2.2K 10K RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
FJV3115RMTF_Q 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 50V/100mA/2.2K 10K RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
FJV4101R 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:PNP Epitaxial Silicon Transistor
FJV4101RMTF 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 PNP/50V/100mA 4.7K 4.7K RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
FJV4101RMTF_Q 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 50V/100mA/4.7K 4.7K RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
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