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參數資料
| 型號： | FJX1182 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER |
| 中文描述： | 500 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 44K |
| 代理商： | FJX1182 |
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A2, August 2002
F
PNP Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
a
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
Collector-Base Voltage
V
CEO
Collector-Emitter Voltage
V
EBO
Emitter-Base Voltage
I
C
Collector Current
P
C
Collector Power Dissipation
T
J
Junction Temperature
T
STG
Storage Temperature
Electrical Characteristics
T
a
=25
°
C
unless otherwise noted
Symbol
Parameter
I
CBO
Collector Cut-off Current
I
EBO
Emitter Cut-off Current
h
FE1
h
FE2
V
CE
(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
V
BE
(on)
Base-Emitter On Voltage
f
T
Current Gain Bandwidth Product
C
ob
Output Capacitance
h
FE
Classification
Parameter
Ratings
-35
-30
-5
-500
150
150
-55 ~ 150
Units
V
V
V
mA
mW
°
C
°
C
Test Condition
V
CB
= -35, I
E
=0
V
EB
= -5V, I
C
=0
V
CE
= -1V, I
C
= -100mA
V
CE
= -6V, I
C
= -400mA
I
C
= -100mA, I
B
= -10mA
I
C
= -100mA, V
CE
= -1V
I
C
= -20mA, V
CE
= -6V
V
CB
= -6V, I
E
= 0
f=1MHz
Min.
Typ.
Max.
-0.1
-0.1
240
Units
μ
A
μ
A
DC Current Gain
70
25
-0.1
-0.8
200
13
-0.25
-1.0
V
V
MHz
pF
Classification
h
FE1
O
Y
70 ~ 140
120 ~ 240
FJX1182
Low Frequency Power Amplifier
SDX
Marking
Grade
1. Base 2. Emitter 3. Collector
1
2
SOT-323
3
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