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參數資料
| 型號： | FJX2907A |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | PNP Epitaxial Silicon Transistor For General Purpose(通用的PNP硅外延晶體管) |
| 中文描述： | 600 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件頁數： | 3/4頁 |
| 文件大小： | 88K |
| 代理商： | FJX2907A |
2000 Fairchild Semiconductor International
Rev. A. June 2000
F
Dimensions in Millimeters
SOT-323
2.00±0.20
0.95±0.15
0.90
±0.10
3°
3°
0.135
1.25±0.10
2.10±0.10
0.10 Min
0.275±0.100
1.30±0.10
+0.04
–0.01
1.00±0.10
0.05–0.02
Package Dimensions
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FJX2907 | General Purpose Transistor |
| FJX3001R | Switching Application |
| FJX3002R | Switching Application |
| FJX3003R | Switching Application |
| FJX3004R | Switching Application |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FJX2907ATF | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FJX2907ATF_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FJX3001R | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Switching Application |
| FJX3001RTF | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| FJX3001RTF_Q | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
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