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參數資料
| 型號： | FJX733 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | Low Frequency Amplifier |
| 中文描述： | 150 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | SOT-323, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 47K |
| 代理商： | FJX733 |
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. B2, August 2002
F
PNP Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
a
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
Collector-Base Voltage
V
CEO
Collector-Emitter Voltage
V
EBO
Emitter-Base Voltage
I
C
Collector Current
P
C
Collector Power Dissipation
T
J
Junction Temperature
T
STG
Storage Temperature
Electrical Characteristics
T
a
=25
°
C
unless otherwise noted
Symbol
Parameter
BV
CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
BV
CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage
BV
EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
I
CBO
Collector Cut-off Current
I
EBO
Emitter Cut-off Current
h
FE
DC Current Gain
V
CE
(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
V
BE
(on)
Base-Emitter On Voltage
f
T
Current Gain Bandwidth Product
C
ob
Output Capacitance
h
FE
Classification
Classification
h
FE
Parameter
Ratings
-60
-50
-5
-150
200
150
-55 ~ 150
Units
V
V
V
mA
mW
°
C
°
C
Test Condition
I
C
= -100, I
E
=0
I
C
= -10mA. I
B
=0
I
E
= -10. I
C
=0
V
CB
= -25V, I
E
=0
V
EB
= -3V, I
C
=0
V
CE
= -6V, I
C
= -1mA
I
C
= -100mA, I
B
= -10mA
V
CE
= -6V, I
C
= -1mA
V
CE
= -6V, I
C
= -10mA
V
CB
= -10V, I
E
= 0
f=1MHz
V
CE
= -6V, I
C
= -0.3mA
f=1MHz, Rs=10K
Min.
-60
-50
- 5
Typ.
Max.
Units
V
V
V
nA
nA
-100
-100
700
-0.3
-0.80
40
-0.18
-0.62
180
2.8
V
V
-0.50
50
MHz
pF
NF
Noise Figure
6.0
20
dB
R
O
Y
G
L
40 ~ 80
70 ~ 140
120 ~ 240
200 ~ 400
350 ~ 700
FJX733
Low Frequency Amplifier
Collector-Base Voltage V
CBO
= -60V
Complement to FJX945
SBX
Marking
Grade
1. Base 2. Emitter 3. Collector
1
2
SOT-323
3
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| FJY3001R | NPN Epitaxial Silicon Transistor |
| FJY3002R | NPN Epitaxial Silicon Transistor |
| FJY3003R | NPN Epitaxial Silicon Transistor |
| FJY3004R | NPN Epitaxial Silicon Transistor |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FJX733GTF | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FJX733GTF_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FJX733OTF | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FJX733OTF_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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