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參數資料
| 型號： | FJY3007R |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | NPN Epitaxial Silicon Transistor |
| 中文描述： | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | SOT-523F, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 268K |
| 代理商： | FJY3007R |
tm
2006 Fairchild Semiconductor Corporation
FJY3007R Rev. A
1
www.fairchildsemi.com
F
November 2006
FJY3007R
NPN Epitaxial Silicon Transistor
Features
Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit
Built in bias Resistor (R1=22K
, R2=47K
)
Complement to FJY4007R
Absolute Maximum Ratings *
T
a
= 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
* These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may by impaired.
Thermal Characteristics*
T
a
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
R
θ
JA
Thermal Resistance, Junction to Ambient
* Minimum land pad size.
Electrical Characteristics*
T
C
= 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
* Pulse Test: PW
≤
300
μ
s, Duty Cycle
≤
2%
Value
Units
V
CBO
V
CEO
V
EBO
Collector-Base Voltage
50
V
Collector-Emitter Voltage
50
V
Emitter-Base Voltage
10
V
I
C
T
STG
T
J
P
C
Collector Current
100
mA
Storage Temperature Range
-55~150
°
C
Junction Temperature
150
°
C
Collector Power Dissipation
, by R
θ
JA
200
mW
Parameter
Max
600
Units
°
C/W
Test Condition
MIN
Typ
MAX
Units
V
(BR)CBO
Collector-Emitter Breakdown Voltage
I
C
= 10 uA, I
E
= 0
50
V
V
(BR)CEO
Collector-Base Breakdown Voltage
I
C
= 100 uA, I
B
= 0
50
V
I
CBO
Collector-Cutoff Current
V
CB
= 40 V, I
E
= 0
0.1
uA
h
FE
DC Current Gain
V
CE
= 5 V, I
C
= 5 mA
68
V
CE(
sat
)
Collector-Emitter Saturation Voltage
I
C
= 10 mA, I
B
= 0.5 mA
0.3
V
f
T
Current Gain - Bandwidth Product
V
CE
= 10V, I
C
= 5 mA
250
MHz
C
cb
Output
Capacitance
V
CB
= 10 V, I
E
= 0, f = 1.0 MHz
3.7
pF
V
I(
off
)
Input Off Voltage
V
CE
= 5 V, I
C
= 100uA
0.4
V
V
I(
on)
Input On Voltage
V
CE
= 0.3V, I
C
= 2mA
2.5
V
R
1
Input Resistor
15
22
29
K
R
1
/R
2
Resistor Ratio
0.42
0.47
0.52
Eqivalent Circuit
SOT
-
523F
E
B
C
B
E
C
S07
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FJY3008R | NPN Epitaxial Silicon Transistor |
| FJY3009R | NPN Epitaxial Silicon Transistor |
| FJY3010R | NPN Epitaxial Silicon Transistor |
| FJY3011R | NPN Epitaxial Silicon Transistor |
| FJY3012R | NPN Epitaxial Silicon Transistor |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FJY3008R | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 Trans Pre-Biased NPN 50V R1_47K R2_22 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| FJY3009R | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 Trans Pre-Biased NPN 50V R1_4.7K RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| FJY3010R | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 Trans Pre-Biased NPN 50V R1_10K RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| FJY3011R | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 Trans Pre-Biased NPN 50V R1_22K RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| FJY3012R | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 Trans Pre-Biased NPN 50V R1_47K RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
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