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參數資料
| 型號： | FJY3010R |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | NPN Epitaxial Silicon Transistor |
| 中文描述： | 100 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | SOT-523F, 3 PIN |
| 文件頁數： | 3/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 262K |
| 代理商： | FJY3010R |
3
www.fairchildsemi.com
FJY3010R Rev. A
F
Package Dimensions
SOT-523F
Dimensions in Millimeters
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FJY3011R | NPN Epitaxial Silicon Transistor |
| FJY3012R | NPN Epitaxial Silicon Transistor |
| FJY3013R | NPN Epitaxial Silicon Transistor |
| FJY3014R | NPN Epitaxial Silicon Transistor |
| FJY3015R | NPN Epitaxial Silicon Transistor |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FJY3011R | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 Trans Pre-Biased NPN 50V R1_22K RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| FJY3012R | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 Trans Pre-Biased NPN 50V R1_47K RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| FJY3013R | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 Trans Pre-Biased NPN 50V R1_2.2K R2_4 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| FJY3014R | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 Trans Pre-Biased NPN 50V R1_4.7K R2_4 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| FJY3015R | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 Trans Pre-Biased NPN 50V R1_2.2K R2_1 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
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