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參數資料
型號: FJY4005R
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: PNP Epitaxial Silicon Transistor
中文描述: 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: SOT-523F, 3 PIN
文件頁數: 2/4頁
文件大小: 267K
代理商: FJY4005R
2
www.fairchildsemi.com
FJY4005R Rev. A
F
Typical Performance Characteristics
Figure 1. DC current Gain
Figure 2. Input On Voltage
Figure 3. Input off Voltage
Figure 4. Power Derating
-0.1
-1
-10
-100
1
10
100
1000
V
CE
= - 5V
R
1
= 4.7K
R
2
= 10K
h
F
,
I
C
[mA], COLLECTOR CURRENT
-0.1
-1
-10
-100
-0.1
-1
-10
-100
V
CE
= - 0.3V
R
1
= 4.7K
R
2
= 10K
V
I
(
I
C
[mA], COLLECTOR CURRENT
-0.1
-0.3
-0.5
-0.7
-0.9
-1.1
-1.3
-1.5
-1.7
-1.9
-2.1
-1
-10
-100
-1k
-10k
V
CE
= - 5V
R
1
= 4.7K
R
2
= 10K
I
C
μ
A
V
I
(off)[V], INPUT OFF VOLTAGE
0
25
50
75
100
125
150
175
0
40
80
120
160
200
240
280
P
C
[
T
a
[
o
C], AMBIENT TEMPERATURE
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PDF描述
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FJY4007R PNP Epitaxial Silicon Transistor
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參數描述
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FJY4007R 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 Trans Pre-Biased PNP 50V R1_22K R2_47 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
FJY4008R 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 Trans Pre-Biased PNP 50V R1_47K R2_22 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
FJY4009R 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 Trans Pre-Biased PNP 50V R1_4.7K RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
FJY4010R 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 Trans Pre-Biased PNP 50V R1_10K RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
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