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參數資料
| 型號： | FJY4012R |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | PNP Epitaxial Silicon Transistor |
| 中文描述： | 100 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | SOT-523F, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 263K |
| 代理商： | FJY4012R |
tm
2006 Fairchild Semiconductor Corporation
FJY4012R Rev. A
1
www.fairchildsemi.com
F
November 2006
FJY4012R
PNP Epitaxial Silicon Transistor
Features
Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit
Built in bias Resistor (R=47K
)
Complement to FJY3012R
Absolute Maximum Ratings *
T
a
= 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
* These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may by impaired.
Thermal Characteristics*
T
a
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
R
θ
JA
Thermal Resistance, Junction to Ambient
* Minimum land pad size.
Electrical Characteristics*
T
C
= 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
* Pulse Test: PW
≤
300
μ
s, Duty Cycle
≤
2%
Value
Units
V
CBO
V
CEO
V
EBO
Collector-Base Voltage
-40
V
Collector-Emitter Voltage
-40
V
Emitter-Base Voltage
-5
V
I
C
T
STG
T
J
P
C
Collector Current
-100
mA
Storage Temperature Range
-55~150
°
C
Junction Temperature
150
°
C
Collector Power Dissipation
, by R
θ
JA
200
mW
Parameter
Max
600
Units
°
C/W
Test Condition
MIN
Typ
MAX
Units
V
(BR)CBO
Collector-Emitter Breakdown Voltage
I
C
= -100 uA, I
E
= 0
-40
V
V
(BR)CEO
Collector-Base Breakdown Voltage
I
C
= -1mA, I
B
= 0
-40
V
I
CBO
Collector-Cutoff Current
V
CB
= -30 V, I
E
= 0
-0.1
uA
h
FE
DC Current Gain
V
CE
= -5 V, I
C
= -1 mA
100
600
V
CE(
sat
)
Collector-Emitter Saturation Voltage
I
C
= -10 mA, I
B
= -1 mA
-0.3
V
f
T
Current Gain - Bandwidth Product
V
CE
= -10V, I
C
=- 5 mA
200
MHz
C
cb
Output
Capacitance
V
CB
= -10 V, I
E
= 0, f = 1.0 MHz
5.5
pF
R
Input Resistor
32
47
62
K
SOT
-
523F
E
B
C
Eqivalent Circuit
B
E
C
S62
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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參數描述 |
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