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參數資料
| 型號： | FKN08PN40 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 晶閘管 |
| 英文描述： | TRIAC (Silicon Bidirectional Thyristor) |
| 中文描述： | 400 V, 0.8 A, TRIAC, TO-92 |
| 封裝： | TO-92, 3 PIN |
| 文件頁數： | 3/7頁 |
| 文件大小： | 249K |
| 代理商： | FKN08PN40 |
3
www.fairchildsemi.com
FKN08PN40 Rev. A
F
Quadrant Definitions for a Triac
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
Device
Package
Packing
Tape Width
Quantity
K08PN40
FKN08PN40
TO-92
Bulk
--
--
T2 Positive
+
-
T2 Negative
Quadrant II
Quadrant I
Quadrant III
Quadrant IV
I
GT
-
+ I
GT
(+) T2
(+) I
GT
GATE
T1
(+) T2
(-) I
GATE
T1
(-) T2
(+) I
GT
GATE
T1
(-) T2
(-) I
GATE
T1
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FKN08PN60 | TRIAC (Silicon Bidirectional Thyristor) |
| FKN1N60SA | TRIAC (Silicon Bidirectional Thyristor) |
| FKN2L60 | Bi-Directional Triode Thyristor Planar Silicon |
| FKN2L80 | Bi-Directional Triode Thyristor Planar Silicon |
| FKPF10N80 | Application Explanation |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| FKN08PN60 | 功能描述:雙向可控硅 TBD RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態 RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復通態電流:120 A 額定重復關閉狀態電壓 VDRM:600 V 關閉狀態漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB |
| FKN08PN60S | 功能描述:雙向可控硅 TRIAC Silicon Bi Directional Thyristr RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態 RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復通態電流:120 A 額定重復關閉狀態電壓 VDRM:600 V 關閉狀態漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB |
| FKN100 | 制造商:YAGEO 制造商全稱:YAGEO Corporation 功能描述:Flame-Proof Type Normal & Miniature Style [ FKN Series ] |
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