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參數資料
| 型號： | FKN08PN60 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 晶閘管 |
| 英文描述： | TRIAC (Silicon Bidirectional Thyristor) |
| 中文描述： | 600 V, 0.8 A, TRIAC, TO-92 |
| 封裝： | TO-92, 3 PIN |
| 文件頁數： | 5/7頁 |
| 文件大小： | 249K |
| 代理商： | FKN08PN60 |
5
www.fairchildsemi.com
FKN08PN60 Rev. A
F
Typical Performance Characteristics
(Continued)
Figure7. Typical Holding Current
vs Junction Temperature
Figure8. Junction to Case Thermal Resistance
-40
0
40
80
120
0
1
2
3
4
5
Q3
Q2
Q1
I
H
[
T
J
[
o
C], Junction Temperature
1E-6
1E-5
1E-4
1E-3
0.01
0.1
1
10
100
0
10
20
30
40
50
J
o
C
Time, [S]
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FKN1N60SA | TRIAC (Silicon Bidirectional Thyristor) |
| FKN2L60 | Bi-Directional Triode Thyristor Planar Silicon |
| FKN2L80 | Bi-Directional Triode Thyristor Planar Silicon |
| FKPF10N80 | Application Explanation |
| FKPF12N60 | Bi-Directional Triode Thyristor Planar Silicon |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FKN08PN60S | 功能描述:雙向可控硅 TRIAC Silicon Bi Directional Thyristr RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態 RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復通態電流:120 A 額定重復關閉狀態電壓 VDRM:600 V 關閉狀態漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB |
| FKN100 | 制造商:YAGEO 制造商全稱:YAGEO Corporation 功能描述:Flame-Proof Type Normal & Miniature Style [ FKN Series ] |
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| FKN100FR-73-0R12 | 功能描述:RES FUSIBLE WW .12 OHM 1W 1% AX RoHS:是 類別:電阻器 >> 通孔電阻器 系列:FKN 標準包裝:25 系列:HR, Kyocera 電阻（歐姆）:93 功率（瓦特）:0.063W，1/16W 復合體:厚膜 特點:- 溫度系數:±250ppm/°C 容差:±5% 封裝/外殼:軸向 尺寸/尺寸:0.075" L x 0.036" W（1.91mm x 0.91mm） 高度:0.036"（0.92mm） 端子數:2 包裝:散裝 |
| FKN100FR-73-0R15 | 功能描述:RES FUSIBLE WW .15 OHM 1W 1% AX RoHS:是 類別:電阻器 >> 通孔電阻器 系列:FKN 標準包裝:25 系列:HR, Kyocera 電阻（歐姆）:93 功率（瓦特）:0.063W，1/16W 復合體:厚膜 特點:- 溫度系數:±250ppm/°C 容差:±5% 封裝/外殼:軸向 尺寸/尺寸:0.075" L x 0.036" W（1.91mm x 0.91mm） 高度:0.036"（0.92mm） 端子數:2 包裝:散裝 |
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