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參數資料
| 型號： | FKPF10N80 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 晶閘管 |
| 英文描述： | Application Explanation |
| 中文描述： | 800 V, 10 A, TRIAC, TO-220AB |
| 封裝： | TO-220F, 3 PIN |
| 文件頁數： | 4/7頁 |
| 文件大小： | 171K |
| 代理商： | FKPF10N80 |
2004 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. B1, April 2004
F
Typical Curves
(Continues)
Figure 7. Allowable Ambient Temperature
vs Rms On-state Current
Figure 8. Allowable Case Temperature
vs Rms On-state Current
Figure 9. Maximum On-state Power Dissipation
Figure 10. Repetitive Peak Off-state Current
vs Junction Temperature
Figure 11. Holding Current vs
Junction Temperature
Figure 12. Laching Current vs
Junction Temperature
0
2
4
6
8
10
12
0
20
40
60
80
100
120
140
⑤
④
③
②
①
NO HEAT SINK
①
30 × 30 × 2 mm AL HEAT SINK
②
50 × 50 × 2 mm AL HEAT SINK
③
70 × 70 × 2 mm AL HEAT SINK
④
100 × 100 × 2 mm AL HEAT SINK
⑤
M
o
C
RMS ON-STATE CURRENT [A]
0
2
4
6
8
1
0
1
2
1
4
1
6
0
20
40
60
80
1
00
1
20
1
40
1
60
360
CONDUCTION
RESISTIVE,
INDUCTIVE
LOADS
o
CURVES APPLY REGARDLESS
OF CONDUCTION ANGLE
C
o
C
RMS ON-STATE CURRENT [A]
0
2
4
RMS ON-STATE CURRENT [A]
6
8
10
12
14
16
0
2
4
6
8
10
12
14
16
360
CONDUCTION
RESISTIVE,
INDUCTION
LOAD
O
O
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
140
10
2
10
3
10
4
10
5
TYPICAL EXAMPLE
N
JUNCTION TEMPERATURE [
o
C]
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
140
10
100
1000
TYPICAL EXAMPLE
N
JUNCTION TEMPERATURE [
o
C]
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
140
10
100
1000
I
L
Ⅰ
, I
L
Ⅲ
I
L
Ⅱ
N
JUNCTION TEMPERATURE [
o
C]
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FKPF12N60 | Bi-Directional Triode Thyristor Planar Silicon |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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| FKPF12N80 | 功能描述:雙向可控硅 Triode Thyristor Si Bidirectional Planar RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態 RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復通態電流:120 A 額定重復關閉狀態電壓 VDRM:600 V 關閉狀態漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB |
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