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參數資料
| 型號： | FLL810IQ-3C |
| 廠商： | SUMITOMO ELECTRIC DEVICE INNOVATIONS, INC. |
| 英文描述： | L-Band High Power GaAs FET |
| 中文描述： | L波段高功率GaAs場效應管 |
| 文件頁數： | 2/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 131K |
| 代理商： | FLL810IQ-3C |
2
FLL810IQ-3C
L-Band High Power GaAs FET
OUTPUT POWER &
η
add vs. INPUT POWER
32
30
34
36
40
38
44
42
46
48
50
22
24
26
28
32
30
34
36
38
40
Input Power (dBm)
VDS = 12V
IDS = 5A
O
10
0
20
30
40
50
60
η
a
Pout
η
add
IM3
IDS(RF)
IM5
IMD & IDS(RF) vs. TOTAL OUTPUT POWER
-60
-50
-40
-30
2
3
4
5
6
7
8
34
36
38
40
42
44
Total Output Power (dBm)
VDS = 12V
IDS = 5A
fo = 2.6GHz
f1 = 2.61GHz
I
I
34
36
38
40
42
44
46
48
50
2.5
2.4
2.8
2.6
2.7
Frequency (GHz)
O
OUTPUT POWER vs. FREQUENCY
34dBm
39dBm
30dBm
26dBm
22dBm
VDS = 12V
IDS = 5A
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FLL810IQ-4C | L-Band High Power GaAs FET |
| FLLD261 | HIGH CONDUCTANCE LOW LEAKAGE DIODE |
| FLLD261 | SILICON PLANAR LOW LEAKAGE SERIES DIODE PAIR |
| FLM0910-12F | X-Band Internally Matched FET |
| FLM0910-15F | X-Band Internally Matched FET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FLL810IQ-4C | 制造商:EUDYNA 制造商全稱:Eudyna Devices Inc 功能描述:L-Band High Power GaAs FET |
| FLLA1 | 制造商:CLULITE 功能描述:FLOOD-A-LITE SPOT LIGHT HEAD |
| FLL-APR-2 | 功能描述:烙鐵 Thick PCB Finger Long (Pack 2) RoHS:否 制造商:Weller 產品:Soldering Stations 類型:Digital, Iron, Stand, Cleaner 瓦特:50 W 最大溫度:+ 850 F 電纜類型:US Cord Included |
| FLLD258 | 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:SILICON PLANAR LOW LEAKAGE COMMON CATHODE DIODE PAIR |
| FLLD258TA | 功能描述:整流器 - RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
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