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參數資料
| 型號： | FLL810IQ-4C |
| 廠商： | SUMITOMO ELECTRIC DEVICE INNOVATIONS, INC. |
| 英文描述： | L-Band High Power GaAs FET |
| 中文描述： | L波段高功率GaAs場效應管 |
| 文件頁數： | 2/4頁 |
| 文件大小： | 130K |
| 代理商： | FLL810IQ-4C |
2
FLL810IQ-4C
L-Band High Power GaAs FET
OUTPUT POWER &
η
add vs. INPUT POWER
34
36
40
38
44
42
46
48
26 28
32
30
34
36
38
40
42
Input Power (dBm)
VDS = 12V,
IDS(DC) = 5A,
f = 3.6GHz
O
10
20
30
40
50
η
a
η
add
Pout
IM3
IM5
IDS(RF)
IMD & IDS(RF) vs. TOTAL OUTPUT POWER
-56
-60
-52
-48
-44
-40
-36
-32
-28
-24
2
4
6
8
10
12
14
16
18
34
33
35 36
37 38 39
40
41
42 43
44 45
Total Output Power (dBm)
VDS = 12V,
IDS(DC) = 5A,
fo = 3.6GHz,
f1 = 3.61GHz
I
I
34
36
38
40
42
44
46
48
50
3.50
3.45
3.55
3.60
3.65
3.70
3.75
Frequency (GHz)
O
OUTPUT POWER vs. FREQUENCY
38dBm
43dBm
34dBm
30dBm
26dBm
VDS = 12V,
IDS(DC) = 5A
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PDF描述 |
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