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參數資料
型號: FLM0910-8F
廠商: SUMITOMO ELECTRIC DEVICE INNOVATIONS, INC.
英文描述: X, Ku-Band Internally Matched FET
中文描述: 十,Ku波段內部匹配場效應管
文件頁數: 2/4頁
文件大小: 257K
代理商: FLM0910-8F
2
FLM0910-8F
X, Ku-Band Internally Matched FET
OUTPUT POWER & IM3 vs. INPUT POWER
VDS=10V
f1 = 10.5 GHz
f2 = 10.51 GHz
2-tone test
16
18
20
22
24
26
Input Power (S.C.L.) (dBm)
S.C.L.: Single Carrier Level
27
29
31
33
25
23
-50
-40
-30
-20
O
IM3
Pout
I
POWER DERATING CURVE
20
10
40
50
30
0
50
Case Temperature (
°
C)
100
150
200
T
OUTPUT POWER vs. FREQUENCY
9.5
Pin=32dBm
30dBm
28dBm
26dBm
10.5
10.0
Frequency (GHz)
34
35
36
37
38
39
40
O
VDS=10V
P1dB
OUTPUT POWER vs. INPUT POWER
VDS=10V
f = 10.0 GHz
24
20
22
26
28
30
32
34
Input Power (dBm)
30
32
34
36
38
40
28
20
30
40
10
O
η
add
Pout
η
a
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PDF描述
FLM1213-12F X, Ku-Band Internally Matched FET
FLM1213-6F X, Ku-Band Internally Matched FET
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參數描述
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