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參數資料
型號: FM1100-L
廠商: 美麗微半導體有限公司
英文描述: Chip Schottky Barrier Diodes - Silicon epitaxial planer type
中文描述: 肖特基二極管芯片-硅外延式龍門
文件頁數: 2/2頁
文件大小: 68K
代理商: FM1100-L
0.1
1.0
.01
10
50
RATING AND CHARACTERISTIC CURVES (FM120 THRU FM1100)
FIG.1-TYPICAL FORWARD CURRENT DERATING CURVE
AVERAGE FORWARD CURRENT,(A)
FIG.4-TYPICAL JUNCTION CAPACITANCE
REVERSE VOLTAGE,(V)
JUNCTION CAPACITANCE,(pF)
INSTANTANEOUS FORWARD CURRENT,(A)
FORWARD VOLTAGE,(V)
Pulse Width 300us
1% Duty Cycle
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
350
300
250
200
150
100
50
0
.01 .05 .1 .5 1 5 10 50 100
.1 .3 .5 .7 .9 1.1 1.3 1.5
3.0
.1
1.0
10
100
FIG.5 - TYPICAL REVERSE
CHARACTERISTICS
REVERSE LEAKAGE CURRENT, (mA)
0 20 40 60 80 100 120 140
.01
Tj=75 C
FM120~FM140
FM150~FM1100
FM150~FM160
FM180~FM1100
FM120~FM140
Tj=25 C
Tj=25 C
AMBIENT TEMPERATURE,( C)
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
FIG.2-TYPICAL FORWARD
CHARACTERISTICS
PERCENT OF RATED PEAK REVERSE VOLTAGE,(%)
FIG.3-MAXIMUM NON-REPETITIVE FORWARD
SURGE CURRENT
0
12
6
18
30
24
NUMBER OF CYCLES AT 60Hz
1
10
5
50
100
Tj=25 C
8.3ms Single Half
Sine Wave
JEDEC method
PEAK FORWARD SURGE CURRENT,(A)
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PDF描述
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FM1530 Chip Schottky Barrier Diodes - Silicon epitaxial planer type
FM1540 Chip Schottky Barrier Diodes - Silicon epitaxial planer type
FM1608 .050 X .050 MICRO STRIPS
FM1608 64Kb Bytewide FRAM Memory(64Kb寬字節FRAM存儲器)
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參數描述
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FM1100L-W 功能描述:肖特基二極管與整流器 1A 100V Low VF RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復時間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel
FM1100-M 制造商:FORMOSA 制造商全稱:Formosa MS 功能描述:Silicon epitaxial planer type
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