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參數(shù)資料
型號: FM2G300US60
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: IGBT 晶體管
英文描述: Sweep Function Generator; Bandwidth Max:12MHz; Frequency Max:12MHz; Frequency Min:0.1Hz; Waveforms:Sine, Square, Triangle, Ramp, Pulse RoHS Compliant: NA
中文描述: 300 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝: PLASTIC, 7PM-BB, 7 PIN
文件頁數(shù): 7/9頁
文件大小: 696K
代理商: FM2G300US60
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
FM2G300US60 Rev. A1
F
0
50
100
150
200
250
300
5
10
100
200
T
rr
Common Cathode
di/dt = 600A/
T
C
= 25
T
C
= 100
I
rr
P
R
Forward Current, I
F
[A]
0
1
2
3
4
0
100
200
300
400
500
600
Common Cathode
V
GE
= 0V
T
C
= 25
T
C
= 125
F
Forward Voltage, V
F
[V]
Fig 20. Reverse Recovery Characteristics
Fig 19. Forward Characteristics
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FM2G400US60 Signal Generator; Bandwidth Max:10MHz; Sweep Rate Range:100:1 lin/log; Sweep Time Range:0.5 Sec to 30 Sec; Accuracy:20Hz to 100kHz ( 3%)<Linebreak/>; 120/150kHz ( 5%); Battery Size Code:9V; Frequency Max:5MHz; Frequency Min:0.2Hz
FM3104-S Integrated Processor Companion with Memory
FM3116-S Integrated Processor Companion with Memory
FM31256-S Integrated Processor Companion with Memory
FM3164-S Integrated Processor Companion with Memory
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FM2G400US60 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FM2G50US60 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FM2G75US60 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FM2-LAIRD 制造商:Laird Technologies Inc 功能描述:ANTENNA HARDWARE/ACCESSORY
FM2SP 功能描述:ACCY MOUNTING KIT HD 2.5 MAST RoHS:是 類別:RF/IF 和 RFID >> RF配件 系列:* 標準包裝:1 系列:*
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