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參數資料
| 型號： | FMA11A |
| 廠商： | Rohm CO.,LTD. |
| 英文描述： | Emitter Common (Dual Digital Transistors)(公共發射級(雙數字晶體管)) |
| 中文描述： | 發射極普通（雙數字晶體管）（公共發射級（雙數字晶體管）） |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 61K |
| 代理商： | FMA11A |
(96-274-A143E)
External dimensions (Units: mm)
502
Transistors
Emitter common
(dual digital transistors)
UMA11N / FMA11A
Features
1) Two DTA143Z chips in a UMT or
SMT package.
2) Mounting cost and area can be cut
in half.
Structure
Epitaxial planar type
PNP silicon transistor
(Built-in resistor type)
The following characteristics apply to
both DTr
1
and DTr
2
.
Absolute maximum ratings (Ta = 25 C)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FMA1 | General purpose (dual digital transistors) |
| FMA1A | General purpose (dual digital transistors) |
| FMA2A | Emitter common (dual digital transistors) |
| FMA3A | Emitter common (dual digital transistors) |
| FMA5A | Emitter common (dual digital transistors) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FMA11AT148 | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 DUAL PNP 50V 100MA RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| FMA13N60ESC | 制造商:Fuji Electric 功能描述: |
| FMA19N60ESC-P | 制造商:Fuji Electric 功能描述: |
| FMA1A | 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:−100mA / −50V Complex digital transistors (with built-in resistors) |
| FMA1AT148 | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 DUAL PNP 50V 100MA RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
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