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參數資料
| 型號： | FMBT3906 |
| 廠商： | 美麗微半導體有限公司 |
| 英文描述： | PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
| 中文描述： | 進步黨外延平面晶體管 |
| 文件頁數： | 2/3頁 |
| 文件大小： | 36K |
| 代理商： | FMBT3906 |
Formosa MS
FORMOSA
MICROSEMI CO., LTD.
Spec. No. : FMSC001
Issued Date : 2002/12/13
Revised Date : 2002/12/25
Page No. : 2/3
FMBT3906
FORMOSA MS Product Specification
Characteristics Curve
Current Gain & Collector Current
10
100
1000
1
10
100
1000
Collector Current-I
C
(mA)
h
hFE @ V
CE
=1V
25
o
C
75
o
C
125
o
C
Saturation Voltage & Collector Current
10
100
1000
1
10
Collector Current-I
C
(mA)
100
1000
S
V
CE(sat)
@ I
C
=10I
B
25
o
C
75
o
C
125
o
C
Saturation Voltage & Collector Current
100
1000
10000
1
10
100
1000
Collector Current-I
C
(mA)
S
V
BE(sat)
@ I
C
=10I
B
25
o
C
75
o
C
125
o
C
Cutoff Frequency & Collector Current
10
100
1000
1
10
Collector Current (mA)
100
1000
C
fT @ V
CE
=20V
Capacitance & Reverse-Biased Voltage
1
10
100
0.1
1
10
100
Reverse Biased Voltage (V)
C
Cob
Safe Operating Area
0.01
0.1
1
10
100
1000
10000
1
10
100
Forward Voltage (V)
C
PT=1ms
PT=100ms
PT =1s
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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