- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄382961 > FMC7A (Rohm CO.,LTD.) Power Management(Dual Digital Transistors)(電源管理(雙數字晶體管)) PDF資料下載
參數資料
| 型號： | FMC7A |
| 廠商： | Rohm CO.,LTD. |
| 英文描述： | Power Management(Dual Digital Transistors)(電源管理(雙數字晶體管)) |
| 中文描述： | 電源管理（雙數字晶體管）（電源管理（雙數字晶體管）） |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 41K |
| 代理商： | FMC7A |
(94S-815-AC143T)
(96-475-AC144E)
592
Transistors
UMC1N / FMC1A
UMD12N / FMC7A
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FMC2A | Power management (dual digital transistor) |
| FMC2 | Epitaxial Planar Dual Mini-Mold PNP/NPN Silicon Transistor |
| FMC3A | Power Management(Dual Digital Transistors)(電源管理(雙數字晶體管)) |
| FMC4A | Power Management(Dual Digital Transistors)(電源管理(雙數字晶體管)) |
| FMC5A | Power Management(Dual Digital Transistors)(電源管理(雙數字晶體管)) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FMC7G10US60 | 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FMC7G15US60 | 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FMC7G20US60 | 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FMC7G30US60 | 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FMC7G50US60 | 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。