- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄375859 > FMG1G50US60H (FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP) Molding Type Module PDF資料下載
參數資料
| 型號： | FMG1G50US60H |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | Molding Type Module |
| 中文描述： | 50 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | PLASTIC, 7PM-GA, 7 PIN |
| 文件頁數： | 5/9頁 |
| 文件大小： | 627K |
| 代理商： | FMG1G50US60H |
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
FMG1G50US60H Rev. A
F
Fig 7. Capacitance Characteristics
Fig 9. Turn-Off Characteristics vs.
Gate Resistance
Fig 10. Switching Loss vs. Gate Resistance
Fig 11. Turn-On Characteristics vs.
Collector Current
Fig 12. Turn-Off Characteristics vs.
Collector Current
1
10
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
7000
Cres
Coes
Cies
Common Emitter
V
GE
= 0V, f = 1MHz
T
C
= 25
℃
C
Collector - Emitter Voltage, V
CE
[V]
1
10
10
100
1000
Common Emitter
V
CC
= 300V, V
GE
= +/- 15V
I
C
= 50A
T
C
= 25
T
C
= 125
0
C
0
C
Ton
Tr
S
Gate Resistance, R
G
[
]
1
10
100
1000
Common Emitter
V
CC
= 300V, V
GE
= +/- 15V
I
C
= 50A
T
C
= 25
T
C
= 125
0
C
0
C
Toff
Tf
S
Gate Resistance, R
g
[
]
1
10
1000
10000
Eoff
Common Emitter
V
CC
= 300V, V
GE
= +/- 15V
I
C
= 50A
T
C
= 25
T
C
= 125
0
C
0
C
Eon
Eoff
S
Gate Resistance, R
G
[
]
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
10
100
Tr
Ton
Common Emitter
V
CC
= 300V, V
GE
= +/- 15V
R
G
= 5.9
T
C
= 25
T
C
= 125
0
C
0
C
S
Collector Current, I
C
[A]
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
100
1000
Tf
Toff
Toff
Tf
Collector Current, I
C
[A]
Common Emitter
V
CC
= 300V, V
GE
= +/- 15V
R
G
= 5.9
T
C
= 25
T
C
= 125
0
C
0
C
S
Fig 8. Turn-On Characteristics vs.
Gate Resistance
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FMG1G50US60L | Molding Type Module |
| FMG1G75US60H | Molding Type Module |
| FMG1G75US60L | Molding Type Module |
| FMG2G100US60 | Molding Type Module |
| FMG2G150US60E | Molding Type Module |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FMG1G50US60L | 功能描述:IGBT 晶體管 600V/50A/Module RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| FMG1G75US60H | 功能描述:IGBT 晶體管 600V/75A/Module RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| FMG1G75US60L | 功能描述:IGBT 晶體管 600V/75A/Module RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| FMG-2 | 制造商:ESSENTRA COMPONENTS 功能描述:FAN MNT GASKET COMBO BLACK 80MM |
| FMG20D6A | 制造商:SUNLED 制造商全稱:SunLED Corporation 功能描述:20mm BIG LAMP |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。