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參數資料
| 型號： | FMG2A |
| 廠商： | Rohm CO.,LTD. |
| 英文描述： | Emitter common (dual digital transistors) |
| 中文描述： | 發射極常見（雙數字晶體管） |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 71K |
| 代理商： | FMG2A |
EMG2 / UMG2N / FMG2A
Transistors
Emitter common
(dual digital transistors)
EMG2 / UMG2N / FMG2A
z
Features
1) Two DTC144E chips in a EMT or UMT or SMT
package.
2) Mounting cost and area can be cut in half.
z
Structure
Dual NPN digital transistor
(each with a single built in resistors)
The following characteristics apply to both the DTr
1
and
DTr
2
.
z
Equivalent circuit
Rev.A
1/2
EMG2 / UMG2N
FMG2A
R
1
R
1
DTr
1
DTr
2
(3)
(4)
(5)
(2)
(1)
R
1
=47k
R
2
=47k
R
2
R
2
R
1
R
1
DTr
1
DTr
2
(3)
(2)
(1)
(4)
(5)
R
1
=47k
R
2
=47k
R
2
R
2
z
Absolute maximum ratings
(Ta = 25
°
C)
Parameter
Symbol
Limits
Unit
V
CC
50
V
40
V
V
IN
10
I
O
30
mA
I
C (Max.)
100
Tj
150
C
Tstg
55 to
+
150
C
Pd
EMG2, UMG2N
150 (TOTAL)
mW
FMG2A
300 (TOTAL)
1
2
Supply voltage
Input voltage
Output current
Junction temperature
Storage temperature
1 120mW per element must not be exceeded.
2 200mW per element must not be exceeded.
Power
dissipation
z
External dimensions
(Unit : mm)
ROHM : EMT5
EMG2
ROHM : UMT5
EIAJ : SC-88A
UMG2N
Each lead has same dimensions
Each lead has same dimensions
Each lead has same dimensions
0
1
0
0.3to0.6
0
1.6
2.8
2
0
1
(
(
(
0
(
0
(
Abbreviated symbol : G2
Abbreviated symbol : G2
Abbreviated symbol : G2
ROHM : SMT5
EIAJ : SC-74A
FMG2A
0
0
0
0.1Min.
0
2.1
1
0
0
2
(
(
(
0
1.25
(
(
0
1.2
1.6
(1)
(2)
(3)
(5)
(4)
0
0
0
0
1
1
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FMG3A | Emitter common (dual digital transistors) |
| FMG4A | General purpose (dual digital transistors) |
| FMG5A | Emitter common (dual digital transistors) |
| FMG6A | General purpose (dual digital transistors) |
| FMG6A | 14 POS DUAL ROW SOCKET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| FMG2G100US60 | 功能描述:IGBT 模塊 600V/100A/2 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FMG2G100US60_Q | 功能描述:IGBT 晶體管 600V/100A/2 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| FMG2G150US120 | 功能描述:IGBT 晶體管 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| FMG2G150US60 | 功能描述:IGBT 模塊 Molding Type Module RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
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