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參數(shù)資料
| 型號： | FMG2G300US60E |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | Molding Type Module |
| 中文描述： | 300 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | PLASTIC, 7PM-HA, 7 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 6/7頁 |
| 文件大小： | 721K |
| 代理商： | FMG2G300US60E |
2003 Fairchild Semiconductor Corporation
FMG2G300US60E Rev. A
F
Dimensions in Millimeters
Package Dimension
3-16.0
±0.50
2
+
8
±
3-10.0
±0.50
3
+
5
94.0
±0.50
4
±
1
±
2-
6.5
±0.30
Mounting-Hole
1
80.0
±0.50
2
±
40.0
±0.50
23.0
±0.50
3-M5
23.0
±0.50
45.5
±0.50
28.0
±0.50
Name Plate
G2
E2
E1
G1
1.3
2.80 -
0.50
*0.5t
+0.00
7PM-HA
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FMG2G300US60 | Molding Type Module |
| FMG2G400LS60 | Molding Type Module |
| FMG2G400US60 | Molding Type Module |
| FMG2G50US120 | Molding Type Module |
| FMG2G50US60 | Arbitrary/Function Generator; Bandwidth Max:80MHz; Amplitude Accuracy :0.01dB; Frequency Max:80MHz; Frequency Min:0.1Hz; Waveforms:27 Built-in RoHS Compliant: NA |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| FMG2G400LS60 | 功能描述:IGBT 模塊 600V 400A IGBT Module RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FMG2G400LS60_Q | 功能描述:IGBT 模塊 600V 400A IGBT Module RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FMG2G400US60 | 功能描述:IGBT 模塊 Molding Type Module RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FMG2G50US120 | 功能描述:IGBT 晶體管 1200V 50A IGBT Module RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
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