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參數資料
| 型號： | FMG2G400US60 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | Molding Type Module |
| 中文描述： | 400 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | PLASTIC, 7PM-IA, 7 PIN |
| 文件頁數： | 5/6頁 |
| 文件大小： | 384K |
| 代理商： | FMG2G400US60 |
2004 Fairchild Semiconductor Corporation
FMG2G400LS60 Rev. A
F
Dimensions in Millimeters
Package Dimension
32.0
±0.50
59.8
±0.50
8
±
4-6.5
±0.30
Mounting-Hole
1
108.0
±0.50
93.0
±0.50
25.0
±0.50
25.0
±0.50
48.5
±0.50
6
±
2
4
±
3-M6
3
+
5
2
+
C
:
Name Plate
3-22.0
±0.50
3-14.0
±0.50
2.80
*0.5t
-0.50
1.3
7PM-IA
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FMG2G50US120 | Molding Type Module |
| FMG2G50US60 | Arbitrary/Function Generator; Bandwidth Max:80MHz; Amplitude Accuracy :0.01dB; Frequency Max:80MHz; Frequency Min:0.1Hz; Waveforms:27 Built-in RoHS Compliant: NA |
| FMG2G75US120 | Molding Type Module |
| FMG2G75US60 | Molding Type Module |
| FMKA130L | Schottky Rectifier |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FMG2G50US120 | 功能描述:IGBT 晶體管 1200V 50A IGBT Module RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| FMG2G50US60 | 功能描述:IGBT 模塊 600V/50A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FMG2G75US120 | 功能描述:IGBT 晶體管 1200V 75A IGBT Module RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| FMG2G75US60 | 功能描述:IGBT 模塊 600V/75A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FMG-3 | 制造商:ESSENTRA COMPONENTS 功能描述:FAN MNT GASKET COMBO BLACK 120MM 制造商:Richco 功能描述:FAN MNT GASKET COMBO BLACK 120MM |
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