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參數資料
| 型號： | FMG2G50US120 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | Molding Type Module |
| 中文描述： | 50 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | PLASTIC, 7PM-GA, 7 PIN |
| 文件頁數： | 5/7頁 |
| 文件大小： | 463K |
| 代理商： | FMG2G50US120 |
2004 Fairchild Semiconductor Corporation
FMG2G50US120 Rev. A
F
Dimensions in Millimeters
20
30
40
50
60
70
80
10
100
1000
I
rr
T
rr
Common Cathode
di/dt = 700A/
T
C
= 25
℃
T
C
= 125
℃
-------
P
R
Forward Current, I
F
[A]
Fig 13. Reverse Recovery Characteristics(diode)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FMG2G50US60 | Arbitrary/Function Generator; Bandwidth Max:80MHz; Amplitude Accuracy :0.01dB; Frequency Max:80MHz; Frequency Min:0.1Hz; Waveforms:27 Built-in RoHS Compliant: NA |
| FMG2G75US120 | Molding Type Module |
| FMG2G75US60 | Molding Type Module |
| FMKA130L | Schottky Rectifier |
| FMKA130 | 1.2 Watt Power Dissipation Package 1.0 Ampere, Forward Voltage Less than 600mV |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FMG2G50US60 | 功能描述:IGBT 模塊 600V/50A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FMG2G75US120 | 功能描述:IGBT 晶體管 1200V 75A IGBT Module RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| FMG2G75US60 | 功能描述:IGBT 模塊 600V/75A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FMG-3 | 制造商:ESSENTRA COMPONENTS 功能描述:FAN MNT GASKET COMBO BLACK 120MM 制造商:Richco 功能描述:FAN MNT GASKET COMBO BLACK 120MM |
| FMG-32R | 制造商:SANKEN 制造商全稱:Sanken electric 功能描述:Ultra-Fast-Recovery Rectifier Diodes |
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