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參數資料
型號: FMMT2222-1BZ
廠商: Electronic Theatre Controls, Inc.
英文描述: SOT23 NPN SILICON PLANAR SWITCHING TRANSISTORS
中文描述: 采用SOT23 NPN硅平面開關晶體管
文件頁數: 1/2頁
文件大小: 42K
代理商: FMMT2222-1BZ
SOT23 NPN SILICON PLANAR
SWITCHING TRANSISTORS
ISSUE 3 FEBRUARY 1996
FEATURES
*
Fast switching
PARTMARKING DETAILS
FMMT2222
FMMT2222R
COMPLEMENTARY TYPES
FMMT2222
FMMT2222A
1BZ
2P
FMMT2222A 1P
FMMT2222AR 3P
FMMT2907
FMMT2907A
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
FMMT2222
FMMT2222A
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
tot
60
75
V
Collector-Emitter Voltage
30
40
V
Emitter-Base Voltage
5
6
V
Continuous Collector Current
600
mA
Power Dissipation at T
amb
=25°C
Operating and Storage Temperature Range T
j
:T
stg
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL
FMMT2222
MIN.
MAX. MIN.
Collector-Base
Breakdown Voltage
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
Emitter-Base
Breakdown Voltage
Collector Cut-Off
Current
10
330
mW
-55 to +150
°C
FMMT2222A UNIT CONDITIONS.
MAX.
75
V
V
(BR)CBO
60
I
C
=10
μ
A, I
E
=0
V
(BR)CEO
30
40
V
I
C
=10mA, I
B
=0
V
(BR)EBO
5
6
V
I
E
=10
μ
A, I
C
=0
I
CBO
10
10
10
nA
μ
A
nA
μ
A
nA
V
CB
=50V, I
E
=0
V
CB
=60V, I
E
=0
V
CB
=50V, I
E
=0, T
amb
=150°C
V
CB
=60V, I
E
=0, T
amb
=150°C
V
EB
=3V, I
C
=0
Emitter Cut-Off
Current
Collector-Emitter
Cut-Off Current
Collector-Emitter
Saturation Voltage
Base-Emitter
Saturation Voltage
Static Forward
Current Transfer
Ratio
I
EBO
10
10
I
CEX
10
10
nA
V
CE
=60V, V
EB(off)
=3V
I
C
=150mA, I
B
=15mA*
I
C
=500mA, I
B
=50mA*
I
C
=150mA, I
B
=15mA*
I
C
=500mA, I
B
=50mA*
I
C
=0.1mA, V
=10V*
I
C
=1mA, V
CE
=10V
I
C
=10mA, V
CE
=10V*
I
C
=10mA, V
CE
=10V, T
amb
=-55°C
I
C
=150mA, V
CE
=10V*
I
C
=150mA, V
CE
=1V*
I
C
=500mA, V
CE
=10V*
V
CE(sat)
0.3
1.0
2.0
2.6
0.3
1.0
1.2
2.0
V
V
V
V
V
BE(sat)
0.6
0.6
h
FE
35
50
75
35
100
50
30
300
35
50
75
35
100
50
40
300
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
s. Duty cycle
2%
Spice parameter data is available upon request for this device
FMMT2222
FMMT2222A
C
B
E
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