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參數資料
| 型號： | FMMT5210 |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | SOT23 NPN SILICON PLANAR SMALL SIGNAL TRANSISTORS |
| 中文描述： | 采用SOT23 NPN硅平面小信號晶體管 |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大?。?/td> | 28K |
| 代理商： | FMMT5210 |
SOT23 NPN SILICON PLANAR
SMALL SIGNAL TRANSISTORS
ISSUE 2 - JULY 1995
%
PARTMARKING DETAILS:
FMMT5209 - 2Q
FMMT5210 - 2R
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
FMMT5209
FMMT5210
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
50
V
Collector-Emitter Voltage
V
CEO
50
V
Emitter-Base Voltage
V
EBO
4.5
V
Continuous Collector Current
I
C
50
mA
Power Dissipation
P
tot
330
mW
Operating and Storage Temperature Range
T
j
:T
stg
-55 TO +150
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL
FMMT5209
FMMT5210
UNIT
CONDITIONS.
MIN.
MAX. MIN.
MAX.
Collector-Base
Cut-Off Current
I
CBO
50
50
nA
V
CB
=35V, I
E
=0
Emitter-Base
Cut-Off Current
I
EBO
50
50
nA
V
EB
=3V, I
C
=0
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
CE(sat)
700
700
mV
I
C
=10mA, I
B
=1mA
Base-Emitter ON
Voltage
V
BE(on)
850
850
mV
I
C
=1mA, V
CE
=5V
Static Forward
Current Transfer
Ratio
h
FE
100
300
200
600
I
C
=100
μ
A, V
CE
=5V
150
250
I
C
=1mA, V
CE
=5V
150
250
I
C
=10mA, V
CE
=5V*
Transition Frequency f
T
30
30
MHz
I
=0.5mA, V
CE
=5V,
f=20MHz
Small Signal Current
Transfer Ratio
h
fe
150
600
250
900
MHz
I
C
=1mA, V
CE
=5V, f=1KHz
Noise Figure
N
3
2
dB
I
=200
μ
A, V
=5V, R
=2K
,
f=30Hz to 15KHz at -3dB
points
4
3
dB
I
C
=200
μ
A, V
CE
=5V, R
g
=2K
,
f=1KHz to
f=200Hz
Output Capacitance
C
obo
4
4
pF
V
CB
=5V, I
E
=0, f=140KHz
FMMT5209
FMMT5210
C
B
E
SOT23
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FMMTA70 | SOT23 PNP SILICON PLANAR SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| FMMZ5232 | SOT23 SILICON VOLTAGE REGULATOR DIODES |
| FMMZ5233 | SOT23 SILICON VOLTAGE REGULATOR DIODES |
| FMMZ5234 | SOT23 SILICON VOLTAGE REGULATOR DIODES |
| FMMZ5235 | SOT23 SILICON VOLTAGE REGULATOR DIODES |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FMMT5210-2R | 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:SOT23 NPN SILICON PLANAR SMALL SIGNAL TRANSISTORS |
| FMMT5210TA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FMMT5210TC | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FMMT5400 | 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:SOT23 PNP SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTORS |
| FMMT5400TA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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