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參數資料
| 型號： | FMMT549 |
| 廠商： | ZETEX PLC |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS |
| 中文描述： | 1000 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | SOT-23, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 25K |
| 代理商： | FMMT549 |
FMMT549
PNP Low Saturation Transistor
These devices are designed with high current gain and low saturation voltage with collector currents up to 2A
continuous.
Absolute Maximum Ratings*
T
A = 25°C unless otherwise noted
°C
-55 to +150
Operating and Storage Junction Temperature Range
T
J,
T
stg
A
1
2
Collector Current - Continuous
- Peak Pulse Current
I
C
V
5
Emitter-Base Voltage
V
EBO
V
35
Collector-Base Voltage
V
CBO
V
30
Collector-Emitter Voltage
V
CEO
Units
FMMT549
Parameter
Symbol
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
NOTES:
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150°C.
2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.
Thermal Characteristics
T
A = 25°C unless otherwise noted
°C/W
250
Thermal Resistance, Junction to Ambient
R
θ
JA
mW
mW/°C
500
4
Total Device Dissipation*
Derate above 25°C
P
D
FMMT549
Units
Max
Characteristic
Symbol
*Device mounted on FR-4 PCB 4.5” X 5”; mounting pad 0.02 in
2
of 2oz copper.
Page 1 of 2
1998 Fairchild Semiconducto Corporation
fmmt549.lwpPrPB 7/10/98 revB
F
SuperSOT
TM
-3 (SOT-23)
C
E
B
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FMMT549A | PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS |
| FMMT551 | PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR |
| FMMT555 | PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR |
| FMMT558 | PNP SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR |
| FMMT560 | PNP SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FMMT549_06 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:PNP Low Saturation Transistor |
| FMMT549A | 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS |
| FMMT549ATA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Medium Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FMMT549ATC | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Medium Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FMMT549TA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Medium Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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