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參數資料
| 型號： | FMMTA93 |
| 廠商： | ZETEX PLC |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | SOT23 PNP SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR |
| 中文描述： | 200 mA, 200 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 81K |
| 代理商： | FMMTA93 |
SOT23 PNP SILICON PLANAR
HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
ISSUE 4 - MARCH 2001
PARTMARKING DETAILS:
– FMMTA92 - 4E
– FMMTA92R - 8E
COMPLEMENTARY TYPES:
– FMMTA92 - FMMTA42
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
FMMTA92
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
tot
T
j
:T
stg
-300
V
Collector-Emitter Voltage
-300
V
Emitter-Base Voltage
-5
V
Continuous Collector Current
-200
mA
Power Dissipation at T
amb
= 25°C
Operating and Storage Temperature Range
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C).
330
mW
-55 to +150
°C
FMMTA92
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
MAX.
UNIT
CONDITIONS.
Collector-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)CBO
-300
V
I
C
=-100
μ
A, I
E
=0
Collector-Emitter Breakdown
Voltage
V
(BR)CEO
-300
V
I
C
=-1mA, I
B
=0*
Emitter-Base Breakdown
Voltage
V
(BR)EBO
-5
V
I
E
=-100
μ
A, I
C
=0
Collector Cut-Off
Current
I
CBO
-0.25
μ
A
μ
A
V
CB
=-200V, I
E
=0
V
CB
=-160V, I
E
=0-
Emitter Cut-Off Current
I
EBO
V
CE(sat)
-0.1
μ
A
V
EB
=-3V, I
E
=0
I
C
=-20mA, I
B
=-2mA*
Collector-Emitter Saturation
Voltage
-0.5
V
Base-Emitter
Saturation Voltage
V
BE(sat)
-0.9
V
I
C
=-20mA, I
B
=-2mA*
Static Forward Current
Transfer Ratio
h
FE
25
40
25
I
C
=-1mA, V
CE
=10V*
I
C
=-10mA, V
CE
=10V*
I
C
=-30mA,V
CE
=-10V*
I
=-10mA, V
CE
=-20V
f=20MHz
Transition Frequency
f
T
50
MHz
Output Capacitance
C
obo
6
pF
V
CB
=-20V, f=1MHz
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
μ
s. Duty cycle
≤
2%
FMMTA92
C
B
E
SOT23
TBA
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FMMV109 | SOT23 SILICON PLANAR VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
| FMMV2101 | SOT23 SILICON PLANAR VARIABLE CAPACITANCE DIODES |
| FMMV2101 | SOT23 SILICON PLANAR VARIABLE CAPACITANCE DIODES |
| FMMV2109 | SOT23 SILICON PLANAR VARIABLE CAPACITANCE DIODES |
| FMMV2103 | SOT23 SILICON PLANAR VARIABLE CAPACITANCE DIODES |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FMMTA93R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 200V V(BR)CEO | 200MA I(C) | SOT-23 |
| FMMTA93TA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FMMTA93TC | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FMMTH10 | 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:NPN SILICON PLANAR RF TRANSISTOR |
| FMMTH10TA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN RF RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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