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參數資料
型號: FMMTL619
廠商: ZETEX PLC
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: NPN SILICON PLANAR HIGH GAIN MEDIUM POWER TRANSISTOR
中文描述: 1250 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: SOT-23, 3 PIN
文件頁數: 1/3頁
文件大小: 65K
代理商: FMMTL619
C
B
E
SOT23 NPN SILICON PLANAR HIGH GAIN
MEDIUM POWER TRANSISTOR
ISSUE 1 – NOVEMBER 1997
FEATURES
Very low equivalent on-resistance;
R
CE(sat)
=160m
at 1.25A
COMPLEMENTARY TYPE –
FMMTL720
PARTMARKING DETAIL –
L69
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
tot
T
j
:T
stg
100
V
Collector-Emitter Voltage
50
V
Emitter-Base Voltage
5
V
Continuous Collector Current
1.25
A
Peak Pulse Current
2
A
Base Current
200
mA
Power Dissipation at T
amb
=25°C
Operating and Storage Temperature Range
500
mW
-55 to +150
°C
FMMTL619
相關PDF資料
PDF描述
FMMTL717 PNP SILICON PLANAR HIGH GAIN MEDIUM POWER TRANSISTOR
FMMTL718 PNP SILICON PLANAR HIGH GAIN MEDIUM POWER TRANSISTOR
FMMV105G TTL
FMN-G14S PCB Header; No. of Contacts:36; Pitch Spacing:0.1"; No. of Rows:1; Series:929; Body Material:Glass-Filled Polyester; Contact Material:Copper Alloy; Contact Plating:Gold; Leaded Process Compatible:Yes RoHS Compliant: Yes
FMG-14S CRYSTAL 13.560000 MHZ SMD 8PF
相關代理商/技術參數
參數描述
FMMTL619_05 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:SOT23 NPN SILICON PLANAR HIGH GAIN MEDIUM POWER TRANSISTOR
FMMTL619TA 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Medium Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FMMTL619TC 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Medium Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FMMTL717 制造商:KEXIN 制造商全稱:Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 功能描述:Medium Power Transistor
FMMTL717TA 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Medium Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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