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參數資料
型號: FMMTL619
廠商: ZETEX PLC
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: NPN SILICON PLANAR HIGH GAIN MEDIUM POWER TRANSISTOR
中文描述: 1250 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: SOT-23, 3 PIN
文件頁數: 2/3頁
文件大?。?/td> 65K
代理商: FMMTL619
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C).
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
CONDITIONS.
Collector-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)CBO
100
210
V
I
C
=100
μ
A
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
V
(BR)CEO
50
70
V
I
C
=5mA*
Emitter-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)EBO
5
8.5
V
I
E
=100
μ
A
Collector Cut-Off Current I
CBO
10
nA
V
CB
=40V
Emitter Cut-Off Current
I
EBO
10
nA
V
EB
=4V
Collector Cut-Off Current I
CES
10
nA
V
CE
=40V
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
CE(sat)
24
60
100
195
45
100
180
330
mV
mV
mV
mV
I
C
=100mA, I
B
=10mA*
I
C
=250mA, I
B
=10mA*
I
C
=500mA, I
=25mA*
I
C
=1.25A, I
B
=125mA*
Base-Emitter
Saturation Voltage
V
BE(sat)
1020
1100
mV
I
C
=1.25A, I
B
=125mA*
Base-Emitter
Turn On Voltage
V
BE(on)
895
1000
mV
I
C
=1.25A, V
CE
=2V*
Static Forward
Current Transfer Ratio
h
FE
200
300
200
100
30
400
450
400
230
50
I
C
=10mA, V
CE
=5V
I
C
=200mA, V
CE
=5V*
I
C
=500mA, V
=5V*
I
C
=1A, V
CE
=5V*
I
C
=2A, V
CE
=5V*
Transition Frequency
f
T
180
MHz
I
=50mA, V
CE
=10V
f=100MHz
Collector-Base
Breakdown Voltage
C
obo
6
8
pF
V
CB
=10V, f=1MHz
Switching times
t
on
t
off
182
379
ns
ns
I
C
=1A, V
=10V
I
B1
=-I
B2
=10mA
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
μ
s. Duty cycle
2%
FMMTL619
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PDF描述
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