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參數資料
| 型號： | FP10R06KL4 |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | Elektrische Eigenschaften / Electrical properties |
| 中文描述： | 電氣個性的/電氣特性 |
| 文件頁數： | 11/12頁 |
| 文件大小： | 208K |
| 代理商： | FP10R06KL4 |
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FP10R06KL4
Vorlufig
Preliminary
Schaltplan/ Circuit diagram
Gehuseabmessungen/ Package outlines
Bohrplan /
drilling layout
11(12)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FP125F | 12,500 V - 20,000 V Rectifier Stacks 2.2 A Forward Current 150 ns Recovery Time |
| FP150F | 12,500 V - 20,000 V Rectifier Stacks 2.2 A Forward Current 150 ns Recovery Time |
| FP175F | 12,500 V - 20,000 V Rectifier Stacks 2.2 A Forward Current 150 ns Recovery Time |
| FP200F | 12,500 V - 20,000 V Rectifier Stacks 2.2 A Forward Current 150 ns Recovery Time |
| FP125S | 12,500 V - 20,000 V Rectifier Stacks 2.2 A Forward Current 3000 ns Recovery Time |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FP10R06KL4_B3 | 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 600V 16A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FP10R06KL4B3V6 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:IGBT Module |
| FP10R06W1E3 | 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 600V 16A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FP10R06W1E3_B11 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT Module 10A 600V |
| FP10R06YE3 | 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 600V 16A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
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