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參數資料
| 型號： | FP15R12KE3G |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | IGBT-Module |
| 中文描述： | 25 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | MODULE-24 |
| 文件頁數： | 1/11頁 |
| 文件大小： | 155K |
| 代理商： | FP15R12KE3G |
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FP15R12KE3G
Vorlufige Daten
Preliminary data
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Hchstzulssige Werte / Maximum rated values
Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier
Periodische Rückw. Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
V
RRM
1600
V
Gleichrichter Ausgang Grenzeffektivstrom
maximum RMS current at Rectifier output
I
RMSmax
60
A
Dauergleichstrom
DC forward current
T
C
= 80°C
I
d
15
A
Stostrom Grenzwert
surge forward current
Grenzlastintegral
I
2
t - value
t
P
= 10 ms, T
vj
= 25°C
t
P
= 10 ms, T
vj
= 150°C
t
P
= 10 ms, T
vj
= 25°C
t
P
= 10 ms, T
vj
= 150°C
I
FSM
315
260
500
340
A
A
I
2
t
A
2
s
A
2
s
Transistor Wechselrichter/ Transistor Inverter
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
V
CES
1200
V
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
Tc = 80 °C
T
C
= 25 °C
I
C,nom.
I
C
15
25
A
A
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
t
P
= 1 ms, T
C
= 80 °C
I
CRM
30
A
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
T
C
= 25°C
P
tot
100
W
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
V
GES
+/- 20V
V
Diode Wechselrichter/ Diode Inverter
Dauergleichstrom
DC forward current
Tc = 80 °C
I
F
15
A
Periodischer Spitzenstrom t
repetitive peak forw. current
P
= 1 ms
I
FRM
30
A
Grenzlastintegral
I
2
t - value
V
R
= 0V, t
p
= 10ms, T
vj
= 125°C
I
2
t
60
A
2
s
Transistor Brems-Chopper/ Transistor Brake-Chopper
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
V
CES
1200
V
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
T
C
= 80 °C
T
C
= 25 °C
I
C,nom.
I
C
10
18
A
A
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
t
P
= 1 ms, T
C
= 80°C
I
CRM
20
A
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
T
C
= 25°C
P
tot
80
W
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
V
GES
+/- 20V
V
Diode Brems-Chopper/ Diode Brake-Chopper
Dauergleichstrom
DC forward current
Tc = 80 °C
I
F
10
A
Periodischer Spitzenstrom t
repetitive peak forw. current
P
= 1 ms
I
FRM
20
A
prepared by: Andreas Schulz
date of publication:10.08.2001
approved by: Robert Severin
revision: 1
1(11)
DB-PIM-IGBT3_1.xls
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FP15R12KT3 | IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter |
| FP20R06KL4 | IGBT-Module |
| FP25R12KE3 | IGBT-Module |
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| FP50N06L | 50A, 60V, 0.022 Ohm, Logic Level N-Channel Power MOSFETs |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| FP15R12KS4CV2 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:IGBT Module |
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