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參數資料
型號: FP50N06L
廠商: Intersil Corporation
英文描述: 50A, 60V, 0.022 Ohm, Logic Level N-Channel Power MOSFETs
中文描述: 50A條,60V的,0.022歐姆,邏輯電平N溝道功率MOSFET
文件頁數: 6/8頁
文件大?。?/td> 412K
代理商: FP50N06L
6
FIGURE 18. SWITCHING TIME TEST CIRCUIT
FIGURE 19. RESISTIVE SWITCHING WAVEFORMS
FIGURE 20. GATE CHARGE TEST CIRCUIT
FIGURE 21. GATE CHARGE WAVEFORMS
Test Circuits and Waveforms
(Continued)
V
GS
R
L
R
GS
DUT
+
-
V
DD
V
DS
V
GS
t
ON
t
d(ON)
t
r
90%
10%
V
DS
90%
10%
t
f
t
d(OFF)
t
OFF
90%
50%
50%
10%
PULSE WIDTH
V
GS
0
0
R
L
V
GS
+
-
V
DS
V
DD
DUT
I
g(REF)
V
DD
Q
g(TH)
V
GS
= 2V
0
Q
g(10)
OR Q
g(5)
V
GS
= 5V FOR
L
2
DEVICES
Q
g(TOT)
V
GS
= 20V
V
GS
= 10V FOR
L
2
DEVICES
V
DS
V
GS
I
g(REF)
0
V
GS
= 1V FOR
L
2
DEVICES
V
GS
= 10V
RFG50N06LE, RFP50N06LE, RF1S50N06LESM
相關PDF資料
PDF描述
FP50R12KE3 Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
FP75R12KE3 Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
FPAL10SH60 16 Characters x 4 Lines, 5x7 Dot Matrix Character and Cursor
FPAL15SH60 Smart Power Module (SPM)
FPAL15SM60 Smart Power Module (SPM)
相關代理商/技術參數
參數描述
FP50R06KE3 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 600V 60A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FP50R06KE3G 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 600V 60A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FP50R06W2E3 功能描述:IGBT 模塊 IGBT 600V 50A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FP50R06W2E3_B11 功能描述:IGBT 模塊 IGBT 600V 50A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FP50R07N2E4 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:
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