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參數資料
| 型號： | FPAD-MST/MS5-B-12M |
| 廠商： | ADC |
| 元件分類： | 連接器件 |
| 英文描述： | INTERCONNECTION DEVICE |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 664K |
| 代理商： | FPAD-MST/MS5-B-12M |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FPCZ-MS6/MD4-B-12M | INTERCONNECTION DEVICE |
| FPA-FDDI/MST-B-7M | INTERCONNECTION DEVICE |
| FPAD-FDDI/MST-A-3M | INTERCONNECTION DEVICE |
| FPAR-MS6-B-6M | INTERCONNECTION DEVICE |
| FPAR-MSC-A-12M | INTERCONNECTION DEVICE |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FP-AI-100 | 制造商:NI 制造商全稱:National Instruments Corporation 功能描述:Analog Input Modules for Compact FieldPoint and FieldPoint |
| FP-AIO-600 | 制造商:NI 制造商全稱:National Instruments Corporation 功能描述:Analog Input/Output Combination Modules for Compact FieldPoint and FieldPoint |
| FPAL10SH60 | 功能描述:IGBT 晶體管 600V/10A/SPM/HIGH RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| FPAL15SH60 | 功能描述:IGBT 晶體管 600V/15A/IPM RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| FPAL15SL60 | 功能描述:IGBT 晶體管 600V/15A/SPM RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
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