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參數資料
| 型號： | FQA44N10100 |
| 廠商： | Fairchild Semiconductor Corporation |
| 英文描述： | 100V N-Channel MOSFET |
| 中文描述： | 100V的N溝道MOSFET |
| 文件頁數： | 6/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 570K |
| 代理商： | FQA44N10100 |
2000 Fairchild Semiconductor International
F
Rev. A2, December 2000
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
DUT
V
DS
+
_
Driver
R
G
as DUT
V
GS
I
SD
controlled by pulse period
V
DD
L
I
SD
10V
V
GS
( Driver )
I
SD
( DUT )
V
DS
( DUT )
V
DD
Forward Voltage Drop
V
SD
I
FM
, Body Diode Forward Current
Body Diode Reverse Current
I
RM
Body Diode Recovery dv/dt
di/dt
D =
Gate Pulse Period
-Gate Pulse Width
-Gate Pulse Width
Same Type
dv/dt controlled by R
G
Body Diode
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQA44N30 | 300V N-Channel MOSFET |
| FQA46N15 | 150V N-Channel MOSFET(漏源電壓為150V的N溝道增強型MOSFET) |
| FQA47P06 | Hard Case Pro LED Swivel-Head Flashlight; Battery Size Code:AA; Number of Batteries:4; Batteries Included:Yes; Series:TUF; Color:Black & Dark Gray |
| FQA48N20 | 200V N-Channel MOSFET |
| FQA55N10 | 100V N-Channel MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FQA44N30 | 功能描述:MOSFET 300V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQA46N15 | 功能描述:MOSFET 150V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQA46N15_07 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:150V N-Channel MOSFET |
| FQA46N15_F109 | 功能描述:MOSFET 150V N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQA47P06 | 功能描述:MOSFET 60V P-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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