- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄375876 > FQA55N25 (FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP) 250V N-Channel MOSFET(漏源電壓為250V的N溝道增強(qiáng)型MOSFET) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | FQA55N25 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 250V N-Channel MOSFET(漏源電壓為250V的N溝道增強(qiáng)型MOSFET) |
| 中文描述： | 55 A, 250 V, 0.04 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | TO-3PN, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 7/8頁(yè) |
| 文件大小： | 811K |
| 代理商： | FQA55N25 |
15.60
±
0.20
4.80
±
0.20
13.60
±
0.20
9.60
±
0.20
2.00
±
0.20
3.00
±
0.20
1.00
±
0.20
1.40
±
0.20
3.20
±
0.10
3
±
0
1
±
0
3
±
0
1
±
0
1
±
0
1
±
0
2
±
0
1
±
0
1.50
+0.15
–0.05
0.60
+0.15
–0.05
5.45TYP
[5.45
±
0.30
]
5.45TYP
[5.45
±
0.30
]
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQA58N08 | 80V N-Channel MOSFET(漏源電壓為80V的N溝道增強(qiáng)型MOSFET) |
| FQA5N90 | 900V N-Channel MOSFET |
| FQA62N25C | 250V N-Channel MOSFET |
| FQA65N20 | 200V N-Channel MOSFET |
| FQA65N06 | 60V N-Channel MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FQA55N25 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N TO-3P |
| FQA58N08 | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQA5N90 | 功能描述:MOSFET 900V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQA5N90_F109 | 功能描述:MOSFET 900V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQA62N25C | 功能描述:MOSFET 250V N-Channel Adv Q-FET C-Series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。