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參數資料
| 型號： | FQA5N90 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 900V N-Channel MOSFET |
| 中文描述： | 5.8 A, 900 V, 2.3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | TO-3P, 3 PIN |
| 文件頁數： | 7/8頁 |
| 文件大小： | 619K |
| 代理商： | FQA5N90 |
F
Rev. A, September 2000
2000 Fairchild Semiconductor International
Package Dimensions
15.60
±
0.20
4.80
±
0.20
13.60
±
0.20
9.60
±
0.20
2.00
±
0.20
3.00
±
0.20
1.00
±
0.20
1.40
±
0.20
3.20
±
0.10
3
±
0
1
±
0
3
±
0
1
±
0
1
±
0
1
±
0
2
±
0
1
±
0
1.50
+0.15
–0.05
0.60
+0.15
–0.05
5.45TYP
[5.45
±
0.30
]
5.45TYP
[5.45
±
0.30
]
TO-3P
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQA62N25C | 250V N-Channel MOSFET |
| FQA65N20 | 200V N-Channel MOSFET |
| FQA65N06 | 60V N-Channel MOSFET |
| FQA6N70 | 700V N-Channel MOSFET |
| FQA6N80 | KPTC 3C 3#16 SKT RECP |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FQA5N90_F109 | 功能描述:MOSFET 900V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQA62N25C | 功能描述:MOSFET 250V N-Channel Adv Q-FET C-Series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQA62N25C | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
| FQA65N06 | 功能描述:MOSFET N-CH/60V/72A/0.016OHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQA65N20 | 功能描述:MOSFET 200V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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